رقم القطعة :
IRFL014NTRPBF
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
55V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
1.9A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
11nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
190pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-223
حزمة / القضية :
TO-261-4, TO-261AA