الصانع :
Rohm Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.5A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
5.7nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
460pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
320mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
6-SMD, Flat Leads