الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
4A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
86 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
11.4nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
594pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
Micro6™(TSOP-6)
حزمة / القضية :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6