رقم القطعة :
TPN4R203NC,L1Q
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
23A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 200µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
24nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1370pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
700mW (Ta), 22W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
حزمة / القضية :
8-PowerVDFN