Infineon Technologies - BSC032N04LSATMA1

KEY Part #: K6420286

BSC032N04LSATMA1 التسعير (USD) [178410الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.20732
  • 5,000 pcs$0.18632

رقم القطعة:
BSC032N04LSATMA1
الصانع:
Infineon Technologies
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الثنائيات - مقومات الجسر, الثايرستور - SCRs - وحدات, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - واحدة and الثايرستور - TRIACs ...
Competitive Advantage:
We specialize in Infineon Technologies BSC032N04LSATMA1 electronic components. BSC032N04LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC032N04LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC032N04LSATMA1 سمات المنتج

رقم القطعة : BSC032N04LSATMA1
الصانع : Infineon Technologies
وصف : MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
سلسلة : OptiMOS™
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 40V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 21A (Ta), 98A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 3.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1800pF @ 20V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 2.5W (Ta), 52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PG-TDSON-8
حزمة / القضية : 8-PowerTDFN

قد تكون أيضا مهتما ب