Microsemi Corporation - 1N5814

KEY Part #: K6445532

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثنائيات - RF, الترانزستورات - الغرض الخاص and الترانزستورات - Unijunction للبرمجة ...

Competitive Advantage:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5814 electronic components. 1N5814 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5814, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : 1N5814

الصانع : Microsemi Corporation

وصف : DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الصمام الثنائي : Standard

الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 100V

الحالي - متوسط تصحيح (io) : 20A

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 950mV @ 20A

سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

وقت الاسترداد العكسي (trr) : 35ns

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10µA @ 100V

السعة @ Vr ، F : 300pF @ 10V, 1MHz

تصاعد نوع : Stud Mount

حزمة / القضية : DO-203AA, DO-4, Stud

حزمة جهاز المورد : DO-203AA

درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب

C2D05120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.
VS-20ETF04FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
BAT54WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.
IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.
IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.
IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

أجزاء ساخنة