رقم القطعة :
TK16J60W,S1VQ
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3PN
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
15.8A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 790µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
38nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1350pF @ 300V
ميزة FET :
Super Junction
تبديد الطاقة (ماكس) :
130W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-3P(N)
حزمة / القضية :
TO-3P-3, SC-65-3