رقم القطعة :
SI7794DP-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
سلسلة :
SkyFET®, TrenchFET® Gen III
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
28.6A (Ta), 60A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
3.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
72nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2.52nF @ 15V
ميزة FET :
Schottky Diode (Body)
تبديد الطاقة (ماكس) :
5W (Ta), 48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SO-8
حزمة / القضية :
PowerPAK® SO-8