رقم القطعة :
IKB30N65EH5ATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
نوع IGBT :
Trench Field Stop
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) :
650V
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) :
55A
الحالية - جامع نابض (ICM) :
90A
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic :
2.1V @ 15V, 30A
تحويل الطاقة :
870µJ (on), 300µJ (off)
يوم (تشغيل / إيقاف) @ 25 درجة مئوية :
24ns/159ns
شرط الاختبار :
400V, 30A, 22 Ohm, 15V
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
75ns
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد :
D²PAK (TO-263AB)