الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
9A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
43nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
800pF @ 25V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة / القضية :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA