Vishay Siliconix - SI1300BDL-T1-GE3

KEY Part #: K6406425

[8652الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    SI1300BDL-T1-GE3
    الصانع:
    Vishay Siliconix
    وصف مفصل:
    MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثنائيات - RF, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - JFETs, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1300BDL-T1-GE3 electronic components. SI1300BDL-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1300BDL-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1300BDL-T1-GE3 سمات المنتج

    رقم القطعة : SI1300BDL-T1-GE3
    الصانع : Vishay Siliconix
    وصف : MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
    سلسلة : TrenchFET®
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 20V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 400mA (Tc)
    جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 850 mOhm @ 250mA, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 0.84nC @ 4.5V
    Vgs (ماكس) : ±8V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 35pF @ 10V
    ميزة FET : -
    تبديد الطاقة (ماكس) : 190mW (Ta), 200mW (Tc)
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة جهاز المورد : SC-70-3
    حزمة / القضية : SC-70, SOT-323