Vishay Semiconductor Diodes Division - S1JHE3_A/I

KEY Part #: K6455017

S1JHE3_A/I التسعير (USD) [1218837الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.03035
  • 7,500 pcs$0.02825
  • 15,000 pcs$0.02511
  • 37,500 pcs$0.02354
  • 52,500 pcs$0.02093

رقم القطعة:
S1JHE3_A/I
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC. Rectifiers 1A 600V 40A@8.3ms Single Die Auto
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة and الترانزستورات - Unijunction للبرمجة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1JHE3_A/I electronic components. S1JHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1JHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1JHE3_A/I سمات المنتج

رقم القطعة : S1JHE3_A/I
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 600V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.1V @ 1A
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 1.8µs
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 1µA @ 600V
السعة @ Vr ، F : 12pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-214AC, SMA
حزمة جهاز المورد : DO-214AC (SMA)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 150°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • 50WQ10FNTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V DPAK.

  • VS-30EPH03PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC. Rectifiers 300 Volt 30 Amp