| صورة | الجزء الرئيسي / الصانع | الوصف / قوات الدفاع الشعبي | الكمية / rfq |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
24999الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 96FBGA Mass Production. |
21860الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
20248الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
21593الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1333 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
20056الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
21447الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
19892الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
21068الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
18472الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
15107الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
19193الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
23462الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
19442الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
25880الأسهم قطعة |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
17661الأسهم قطعة |
صفحات التصنيف
success