DDR4


صورة الجزء الرئيسي / الصانع الوصف / قوات الدفاع الشعبي الكمية / rfq
K4A8G085WB-BIRC

K4A8G085WB-BIRC

Samsung Semiconductor

8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

21766الأسهم قطعة

K4A8G085WB-BITD

K4A8G085WB-BITD

Samsung Semiconductor

8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

19189الأسهم قطعة

K4A8G085WC-BCPB

K4A8G085WC-BCPB

Samsung Semiconductor

8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

16597الأسهم قطعة

K4A8G085WC-BCRC

K4A8G085WC-BCRC

Samsung Semiconductor

8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

24489الأسهم قطعة

K4A8G085WC-BCTD

K4A8G085WC-BCTD

Samsung Semiconductor

8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

19231الأسهم قطعة

K4A8G085WC-BCWE

K4A8G085WC-BCWE

Samsung Semiconductor

8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

21766الأسهم قطعة

K4A8G085WC-BITD

K4A8G085WC-BITD

Samsung Semiconductor

8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

23945الأسهم قطعة

K4A8G085WC-BIWE

K4A8G085WC-BIWE

Samsung Semiconductor

8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

14142الأسهم قطعة

K4A8G165WB-BCPB

K4A8G165WB-BCPB

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

24170الأسهم قطعة

K4A8G165WB-BCRC

K4A8G165WB-BCRC

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

25018الأسهم قطعة

K4A8G165WB-BCTD

K4A8G165WB-BCTD

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

25398الأسهم قطعة

K4A8G165WB-BCWE

K4A8G165WB-BCWE

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

24756الأسهم قطعة

K4A8G165WB-BIRC

K4A8G165WB-BIRC

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.

20416الأسهم قطعة

K4A8G165WB-BITD

K4A8G165WB-BITD

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.

26874الأسهم قطعة

K4A8G165WB-BIWE

K4A8G165WB-BIWE

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.

19714الأسهم قطعة

K4A8G165WC-BCPB

K4A8G165WC-BCPB

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

17010الأسهم قطعة

K4A8G165WC-BCRC

K4A8G165WC-BCRC

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

24976الأسهم قطعة

K4A8G165WC-BCTD

K4A8G165WC-BCTD

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

20430الأسهم قطعة

K4A8G165WC-BCWE

K4A8G165WC-BCWE

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

26293الأسهم قطعة

K4A8G165WC-BITD

K4A8G165WC-BITD

Samsung Semiconductor

8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.

16752الأسهم قطعة