الترانزستورات - IGBTs - وحدات, VS-GT200TP065N, FS75R07N2E4B11BOSA1, 41

الجزء الرئيسي / الصانع	الوصف / قوات الدفاع الشعبي	الكمية / rfq
MG06400D-BN4MM Littelfuse Inc.	IGBT 600V 500A 1250W PKG D.	586الأسهم قطعة
VS-GT200TP065N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT.	810الأسهم قطعة
FS75R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies	MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6.	1222الأسهم قطعة
VS-GT50TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK.	535الأسهم قطعة
FS100R17KS4F Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 100A.	71الأسهم قطعة
FZ2400R17HP4B29BOSA2 Infineon Technologies	MODULE IGBT IHMB190-1.	59الأسهم قطعة
FP75R17N3E4B11BPSA1 Infineon Technologies	MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3.	505الأسهم قطعة
FP50R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 50A.	1236الأسهم قطعة
FS100R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 100A.	1050الأسهم قطعة
VS-GB100LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK.	1197الأسهم قطعة
VS-GB75TP120U Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK.	1099الأسهم قطعة
VS-GB75TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK.	404الأسهم قطعة
VS-GB100TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK.	881الأسهم قطعة
VS-GB50TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK.	1278الأسهم قطعة
FD800R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 800A.	82الأسهم قطعة
F4-50R07W2H3_B51 Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 650V 50A.	1956الأسهم قطعة
VS-GT100TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK.	427الأسهم قطعة
VS-GT50TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK.	1278الأسهم قطعة
FF800R17KP4B2NOSA2 Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 800A.	88الأسهم قطعة
FP75R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 75A.	552الأسهم قطعة

الترانزستورات - IGBTs - وحدات

صفحات التصنيف