صورة | الجزء الرئيسي / الصانع | الوصف / قوات الدفاع الشعبي | الكمية / rfq |
---|---|---|---|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II. DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT |
14120الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
13771الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
13755الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
13738الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
13722الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
13707الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
11308الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
13674الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA. |
13657الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
13641الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
13626الأسهم قطعة |
|
Micron Technology Inc. |
DDR 512M DIE 64MX8. DRAM DDR 512M Die 64MX8 |
14127الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
11298الأسهم قطعة |
|
Micron Technology Inc. |
DDR 512M DIE 32MX16. DRAM DDR 512M Die 32MX16 |
14127الأسهم قطعة |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT |
14129الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA. |
13545الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
11291الأسهم قطعة |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8, IT |
14129الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
13495الأسهم قطعة |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. |
13480الأسهم قطعة |