رقم القطعة :
APTM120H57FTG
الصانع :
Microsemi Corporation
وصف :
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
نوع FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V (1.2kV)
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
17A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
187nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5155pF @ 25V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount