رقم القطعة :
IPL65R460CFDAUMA1
الصانع :
Infineon Technologies
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
8.3A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
460 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 300µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
31.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
870pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
83.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
Thin-Pak (8x8)
حزمة / القضية :
4-PowerTSFN