Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABBEAH4-IT:E

KEY Part #: K938349

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E التسعير (USD) [20190الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$2.34783
  • 1,260 pcs$2.33615

رقم القطعة:
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
الصانع:
Micron Technology Inc.
وصف مفصل:
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الصوت الغرض الخاص, رقائق IC, ساعة / توقيت - تطبيق معين, واجهة - I / O موسعات, واجهة - مرشحات - نشط, الحصول على البيانات - الجهد الرقمية, واجهة - وحدات and واجهة - التشفير ، فك التشفير ، المحولات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBEAH4-IT:E electronic components. MT29F4G08ABBEAH4-IT:E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F4G08ABBEAH4-IT:E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E سمات المنتج

رقم القطعة : MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
الصانع : Micron Technology Inc.
وصف : IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الذاكرة : Non-Volatile
تنسيق الذاكرة : FLASH
تقنية : FLASH - NAND
حجم الذاكرة : 4Gb (512M x 8)
تردد على مدار الساعة : -
اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : -
وقت الوصول : -
واجهة الذاكرة : Parallel
الجهد - العرض : 1.7V ~ 1.95V
درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : 63-VFBGA
حزمة جهاز المورد : 63-VFBGA (9x11)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W9812G2KB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,