وصف :
GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR
تقنية :
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
1.7A
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
25 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1.5mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
2.1nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
258pF @ 50V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount