Infineon Technologies - IPD65R950CFDBTMA1

KEY Part #: K6420087

IPD65R950CFDBTMA1 التسعير (USD) [158622الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.23318
  • 2,500 pcs$0.19039

رقم القطعة:
IPD65R950CFDBTMA1
الصانع:
Infineon Technologies
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثنائيات - RF, الترانزستورات - JFETs, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الثايرستور - TRIACs, الثنائيات - مقومات - واحدة, الثنائيات - مقومات - صفائف and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت ...
Competitive Advantage:
We specialize in Infineon Technologies IPD65R950CFDBTMA1 electronic components. IPD65R950CFDBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R950CFDBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R950CFDBTMA1 سمات المنتج

رقم القطعة : IPD65R950CFDBTMA1
الصانع : Infineon Technologies
وصف : MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
سلسلة : CoolMOS™
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 3.9A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 14.1nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 380pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 36.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PG-TO252-3
حزمة / القضية : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

قد تكون أيضا مهتما ب