رقم القطعة :
IPS80R900P7AKMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
800V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
6A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
900 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 110µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
15nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
350pF @ 500V
تبديد الطاقة (ماكس) :
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
PG-TO251-3
حزمة / القضية :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA