رقم القطعة :
IPB80N06S2LH5ATMA4
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
55V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
80A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
190nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5000pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-TO263-3-2
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB