Infineon Technologies - IPB80N06S2LH5ATMA4

KEY Part #: K6418557

IPB80N06S2LH5ATMA4 التسعير (USD) [68162الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.57364
  • 1,000 pcs$0.45827

رقم القطعة:
IPB80N06S2LH5ATMA4
الصانع:
Infineon Technologies
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثنائيات - مقومات الجسر, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثنائيات - مقومات - صفائف, الثايرستور - TRIACs and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت ...
Competitive Advantage:
We specialize in Infineon Technologies IPB80N06S2LH5ATMA4 electronic components. IPB80N06S2LH5ATMA4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S2LH5ATMA4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB80N06S2LH5ATMA4 سمات المنتج

رقم القطعة : IPB80N06S2LH5ATMA4
الصانع : Infineon Technologies
وصف : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
سلسلة : OptiMOS™
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 55V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 80A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 5000pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PG-TO263-3-2
حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB