رقم القطعة :
IPI120N06S4H1AKSA2
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH TO262-3
سلسلة :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
120A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
270nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
21900pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
PG-TO262-3-1
حزمة / القضية :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA