Infineon Technologies - BSC360N15NS3GATMA1

KEY Part #: K6419403

BSC360N15NS3GATMA1 التسعير (USD) [110001الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.33625
  • 5,000 pcs$0.27855

رقم القطعة:
BSC360N15NS3GATMA1
الصانع:
Infineon Technologies
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - الغرض الخاص, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة and الترانزستورات - JFETs ...
Competitive Advantage:
We specialize in Infineon Technologies BSC360N15NS3GATMA1 electronic components. BSC360N15NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC360N15NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC360N15NS3GATMA1 سمات المنتج

رقم القطعة : BSC360N15NS3GATMA1
الصانع : Infineon Technologies
وصف : MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
سلسلة : OptiMOS™
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 150V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 33A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 36 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 45µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1190pF @ 75V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PG-TDSON-8
حزمة / القضية : 8-PowerTDFN

قد تكون أيضا مهتما ب