رقم القطعة :
BSC360N15NS3GATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
150V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
33A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
36 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 45µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
15nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1190pF @ 75V
تبديد الطاقة (ماكس) :
74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-TDSON-8
حزمة / القضية :
8-PowerTDFN