رقم القطعة :
SI2309DS-T1-E3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
-
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
340 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
12nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.25W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-23-3 (TO-236)
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3