رقم القطعة :
SUD50N10-18P-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
8.2A (Ta), 50A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
18.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
75nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2600pF @ 50V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3W (Ta), 136.4W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-252, (D-Pak)
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63