Diodes Incorporated - 1N5818-T

KEY Part #: K6456419

1N5818-T التسعير (USD) [1429991الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.02587
  • 5,000 pcs$0.02349
  • 10,000 pcs$0.02088
  • 25,000 pcs$0.01958
  • 50,000 pcs$0.01736

رقم القطعة:
1N5818-T
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف مفصل:
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41. Schottky Diodes & Rectifiers Vr/30V Io/1A T/R
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - مقومات - صفائف and الثنائيات - مقومات - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Diodes Incorporated 1N5818-T electronic components. 1N5818-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5818-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5818-T سمات المنتج

رقم القطعة : 1N5818-T
الصانع : Diodes Incorporated
وصف : DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Schottky
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 30V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 550mV @ 1A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : -
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 1mA @ 30V
السعة @ Vr ، F : 110pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة / القضية : DO-204AL, DO-41, Axial
حزمة جهاز المورد : DO-41
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 125°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • FYV0704SMTF

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23-3.

  • SL03-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V

  • FESB16BT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 100 Volt 35ns

  • FESB16CT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 150 Volt 35ns

  • FESB16AT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 50 Volt 35ns

  • FESB8DTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single