رقم القطعة :
SIA110DJ-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7
سلسلة :
TrenchFET® Gen IV
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
5.4A (Ta), 12A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
55 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
13nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
550pF @ 50V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SC-70-6 Single
حزمة / القضية :
PowerPAK® SC-70-6