Vishay Siliconix - SI4431BDY-T1-E3

KEY Part #: K6417090

SI4431BDY-T1-E3 التسعير (USD) [230950الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.16015
  • 2,500 pcs$0.13562

رقم القطعة:
SI4431BDY-T1-E3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - RF, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات and الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SI4431BDY-T1-E3 electronic components. SI4431BDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4431BDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4431BDY-T1-E3 سمات المنتج

رقم القطعة : SI4431BDY-T1-E3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : P-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 5.7A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 30 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : -
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 1.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : 8-SO
حزمة / القضية : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.