رقم القطعة :
IPT012N08N5ATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
300A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 280µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
223nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
17000pF @ 40V
تبديد الطاقة (ماكس) :
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-HSOF-8-1
حزمة / القضية :
8-PowerSFN