رقم القطعة :
EPC2101ENGRT
وصف :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
نوع FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 2mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
2.7nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
300pF @ 30V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount