Rohm Semiconductor - RFUH10TF6S

KEY Part #: K6456494

RFUH10TF6S التسعير (USD) [127239الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.32136
  • 1,000 pcs$0.31976

رقم القطعة:
RFUH10TF6S
الصانع:
Rohm Semiconductor
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM. Diodes - General Purpose, Power, Switching Diode Switching 600V 10A
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - وحدات and الترانزستورات - IGBTs - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Rohm Semiconductor RFUH10TF6S electronic components. RFUH10TF6S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFUH10TF6S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFUH10TF6S سمات المنتج

رقم القطعة : RFUH10TF6S
الصانع : Rohm Semiconductor
وصف : DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
سلسلة : -
حالة الجزء : Not For New Designs
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 600V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 10A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 2.8V @ 10A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 25ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10µA @ 600V
السعة @ Vr ، F : -
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة / القضية : TO-220-2
حزمة جهاز المورد : TO-220NFM
درجة حرارة التشغيل - مفرق : 150°C (Max)

قد تكون أيضا مهتما ب
  • DSEP8-03AS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA.

  • VS-16EDH02HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101

  • SL03-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V

  • FESB8BTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM

  • UGB8CTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM

  • UGB8DTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 200 Volt 20ns 150 Amp IFSM