رقم القطعة :
ZXMC3A16DN8TC
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
نوع FET :
N and P-Channel
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
4.9A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
35 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
17.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
796pF @ 25V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)