رقم القطعة :
DMT31M7LPS-13
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI506
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
30A (Ta), 100A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
90nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5741pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.3W (Ta), 113W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerDI5060-8
حزمة / القضية :
8-PowerTDFN