وصف :
GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
تقنية :
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
1A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
45 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 800µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
1.15nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
115pF @ 30V
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount