إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. الصفحة الرئيسية
  2. منتجات
  3. الدوائر المتكاملة
  4. ذاكرة
  5. TC58BVG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG0S3HBAI4

KEY Part #: K940897

TC58BVG0S3HBAI4 التسعير (USD) [32493الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.96999
  • 10 pcs$0.87341
  • 25 pcs$0.85961
رقم القطعة:
TC58BVG0S3HBAI4
الصانع:
Toshiba Memory America, Inc.
وصف مفصل:
IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: PMIC - منظمات الفولت - تحكم DC DC التبديل, مضمن - FPGAs (مصفوفة بوابة قابلة للبرمجة ميدانيًا), المنطق - متعدد الهزاز, جزءا لا يتجزأ من - FPGAs (حقل بوابة للبرمجة الميدا, الساعة / التوقيت - خطوط التأخير, المنطق - بوابات ومحولات, المنطق - مولدات التكافؤ والمدققون and مضمن - PLDs (جهاز المنطق القابل للبرمجة) ...
Competitive Advantage:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG0S3HBAI4 electronic components. TC58BVG0S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BVG0S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG0S3HBAI4 سمات المنتج

رقم القطعة : TC58BVG0S3HBAI4
الصانع : Toshiba Memory America, Inc.
وصف : IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA
سلسلة : Benand™
حالة الجزء : Active
نوع الذاكرة : Non-Volatile
تنسيق الذاكرة : FLASH
تقنية : FLASH - NAND (SLC)
حجم الذاكرة : 1Gb (128M x 8)
تردد على مدار الساعة : -
اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 25ns
وقت الوصول : 25ns
واجهة الذاكرة : Parallel
الجهد - العرض : 2.7V ~ 3.6V
درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : 63-VFBGA
حزمة جهاز المورد : 63-TFBGA (9x11)

أحدث الأخبار

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
قد تكون أيضا مهتما ب
  • NDS73PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • IS25LQ032B-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON. NOR Flash 32Mb QSPI, WSON, RoHS

  • FM24CL64B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K I2C 1MHZ 8TDFN. F-RAM IIC FRAM 64K 3V

  • 25LC1024-E/P

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DIP. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • CY62256NLL-70PXC

    Alliance Memory, Inc.

    256M SRAM 28 DIP. SRAM 256K 32K x 8 4.5-5.5V 28pin 600mil DIP Commercial (0 70 C) Low Power Asynch

  • AS6C62256A-70SCN

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM

أجزاء ساخنة