الصانع :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
68A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
4.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
710mV @ 1A
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1080pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
35.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount