رقم القطعة :
IRFH5104TR2PBF
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
40V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
24A (Ta), 100A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
3.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
80nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
3120pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.6W (Ta), 114W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PQFN (5x6)
حزمة / القضية :
8-VQFN Exposed Pad