رقم القطعة :
SI7190DP-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
250V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
18.4A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
118 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
72nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2214pF @ 125V
تبديد الطاقة (ماكس) :
5.4W (Ta), 96W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SO-8
حزمة / القضية :
PowerPAK® SO-8