رقم القطعة :
2SK2315TYTR-E
الصانع :
Renesas Electronics America
وصف :
MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
60V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
2A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
3V, 4V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
450 mOhm @ 1A, 4V
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
173pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount