الصانع :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
وصف :
MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN
نوع FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
25V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
15A, 26.5A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
21nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1560pF @ 15V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-WDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد :
8-DFN-EP (5x6)