Vishay Siliconix - SQ2337ES-T1_GE3

KEY Part #: K6416609

SQ2337ES-T1_GE3 التسعير (USD) [344842الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.10726
  • 3,000 pcs$0.09710

رقم القطعة:
SQ2337ES-T1_GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET P-CHAN 80V SOT23.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - RF, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors) and الترانزستورات - IGBTs - وحدات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SQ2337ES-T1_GE3 electronic components. SQ2337ES-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ2337ES-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ2337ES-T1_GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SQ2337ES-T1_GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET P-CHAN 80V SOT23
سلسلة : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : P-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 2.2A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 290 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 620pF @ 30V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : SOT-23-3 (TO-236)
حزمة / القضية : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

قد تكون أيضا مهتما ب
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.