Vishay Siliconix - SQS482EN-T1_GE3

KEY Part #: K6405375

SQS482EN-T1_GE3 التسعير (USD) [213816الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.17299
  • 3,000 pcs$0.15140

رقم القطعة:
SQS482EN-T1_GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - وحدات and الثنائيات - مقومات - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SQS482EN-T1_GE3 electronic components. SQS482EN-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQS482EN-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQS482EN-T1_GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SQS482EN-T1_GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
سلسلة : TrenchFET®
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 16A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 8.5 mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1865pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 62W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : PowerPAK® 1212-8
حزمة / القضية : PowerPAK® 1212-8

قد تكون أيضا مهتما ب