Microsemi Corporation - JAN1N4960D

KEY Part #: K6479749

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثايرستور - SCRs - وحدات, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثايرستور - TRIACs, الثايرستور - DIACs ، SIDACs and الثنائيات - RF ...

Competitive Advantage:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4960D electronic components. JAN1N4960D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4960D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : JAN1N4960D

الصانع : Microsemi Corporation

وصف : DIODE ZENER 12V 5W AXIAL

سلسلة : Military, MIL-PRF-19500/356

حالة الجزء : Active

الجهد - زينر (الترشيح) (Vz) : 12V

تفاوت : ±1%

أقصى القوة : 5W

المعاوقة (ماكس) (Zzt) : 2.5 Ohms

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10µA @ 9.1V

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.5V @ 1A

درجة حرارة التشغيل : -65°C ~ 175°C

تصاعد نوع : Through Hole

حزمة / القضية : E, Axial

حزمة جهاز المورد : E, Axial

قد تكون أيضا مهتما ب

MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array
BAV70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA
BAV70WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

أجزاء ساخنة