رقم القطعة :
TPC6109-H(TE85L,FM
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
5A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
59 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
12.3nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
490pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
VS-6 (2.9x2.8)
حزمة / القضية :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6