وصف :
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
4500V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
1A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
85 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
40nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1730pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
520W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-268
حزمة / القضية :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA