رقم القطعة :
SSM3J120TU,LF
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
4A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
38 mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
22.3nC @ 4V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1484pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
3-SMD, Flat Leads