رقم القطعة :
DF2B6.8M1ACT,L3F
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
TVS DIODE 5V 20V CST2
الجهد - عكس المواجهة (الطباع) :
5V (Max)
الجهد - انهيار (دقيقة) :
6V
الجهد - تحامل (ماكس) @ ايب :
20V
التيار - ذروة النبض (10/1000) :
2.5A (8/20µs)
تطبيقات :
General Purpose
السعة @ التردد :
0.3pF @ 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount