ON Semiconductor - FDN338P_G

KEY Part #: K6403878

[2205الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    FDN338P_G
    الصانع:
    ON Semiconductor
    وصف مفصل:
    INTEGRATED CIRCUIT.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - Unijunction للبرمجة, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثنائيات - RF, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الترانزستورات - الغرض الخاص and الثايرستور - SCRs - وحدات ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in ON Semiconductor FDN338P_G electronic components. FDN338P_G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN338P_G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDN338P_G سمات المنتج

    رقم القطعة : FDN338P_G
    الصانع : ON Semiconductor
    وصف : INTEGRATED CIRCUIT
    سلسلة : PowerTrench®
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : P-Channel
    تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 20V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 1.6A (Ta)
    جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
    Vgs (ماكس) : ±8V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 451pF @ 10V
    ميزة FET : -
    تبديد الطاقة (ماكس) : 500mW (Ta)
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
    تصاعد نوع : Surface Mount
    حزمة جهاز المورد : SuperSOT-3
    حزمة / القضية : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • RJL5012DPP-M0#T2

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220.